財満・中塚研
Zaima&Nakatsuka Laboratory
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名古屋大学大学院・工学研究科・結晶材料工学専攻・財満・中塚研究室
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主な更新履歴


おしらせ



最近のGeSn材料に関する研究をレビューした公開論文 “Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials” (S. Zaima et al., Sci. Technol. Adv. Mater. 16, 043502 (22 pages) (2015). ) が、出版されました。 『注目の論文』紹介記事(2015年7月28日)



ベルギー・imec との共同研究における共著論文 “Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors”, (B. Vincent et al., Microelectron. Eng. 88(4), pp. 342-346 (2011).)が、 Most Cited Microelectronic Engineering Articlesに選ばれました。(2016年10月)



黒澤昌志先生が主著者の研究論文 “Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process” (M. Kurosawa et al., Jpn. J. Appl. Phys. 55, 08NB07 (2016).) が、 JJAP Spotlightsに選ばれました。(2016年8月)



GNC/AIST との共同研究における共著論文 “Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS” (Y. Kamata et al., APEX 7, 121302 (2014).)が、 第38回応用物理学会優秀論文賞に選ばれました。(2016年9月13日)




The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, Hawaii, USA, Nov. 21-25, 2016.



JSPS Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration", Julich, Germany, Nov. 24-26, 2016.



電子デバイス界面テクノロジー研究会(第22回), 三島, 2017年1月19〜21日.



Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2017), Toyama, Japan, Feb. 28-Mar. 2, 2017.



9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2017/IC-PLANTS2017), Aichi, Japan, Mar. 1-5, 2017.



2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, 2017年3月14〜17日.



科学研究費補助金・特別推進研究(平成22年度〜平成25年度)
省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生



科学研究費補助金・特定領域研究(平成18年度〜平成21年度)
シリコンナノエレクトロニクスの新展開 ― ポストスケーリングテクノロジー ―



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名古屋大学 結晶材料工学専攻