財満・中塚研
Zaima&Nakatsuka Laboratory
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名古屋大学大学院・工学研究科・結晶材料工学専攻
財満・中塚研究室
最終更新日: 2018/10/6

その他の業績

受賞

  1. 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第24回研究会）服部賞, 福田 雅大, “高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価”, 2019年1月26日．
  2. 第44回（2018年春季）応用物理学会講演奨励賞, J. Jeon, “Electrical Conduction Property at Metal/Heavily Sb-doped n-Ge1−xSnx Contact”, 2018年9月18日．
  3. SSDM2018 Poster Presentation Award, T. Doi, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, "Impact of Oxygen Radical Treatment on Improvemnet of Al2O3/SiC Interface", 2018年9月13日.
  4. 第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会・ポスター賞，髙橋恒太， 2018年7月14日
  5. Best Student Paper Award: 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI), Jihee Jeon, “Formation of Ultra-Low Resistance Contact with Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1−xSnx Structure”, 2018年5月31日．
  6. 平成30年度の科学技術分野における文部科学大臣表彰（科学技術賞）, 財満鎭明, “Ⅳ族半導体薄膜の結晶成長および界面制御に関する包括的研究”, 2018年4月17日.
  7. 第5回東海支部学術講演会発表奨励賞, 金田裕一, “有機金属化学気相成長法を用いて作製したGe1-xSnx ゲートスタック構造の欠陥物性評価”, 2018年1月6日.
  8. 平成28年度日本化学会東海支部長賞, 福田雅大, 2017年3月27日．
  9. 第41回（2016年秋季）応用物理学会講演奨励賞, 髙橋恒太, “水中パルスレーザアニールを用いた多結晶GeSnへの高濃度n型ドーピング” （大分類分科：結晶工学, 2017年）．
  10. 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第22回研究会） 安田賞， 髙橋恒太，“水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化”， 2017年1月21日．
  11. 第38回応用物理学会優秀論文賞, Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka, “Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS”, Appl. Phys. Express 7 (12), 121302 (4 pages) (2014)）（2016年9月13日）
  12. APEX/JJAP Editorial Contribution Award，中塚理，2016年4月6日．
  13. 平成27年度日本化学会東海支部長賞（pdf），髙橋恒太，2016年3月25日．
  14. 平成27年度日本化学会東海支部長賞（pdf），長江祐樹，2016年3月25日．
  15. 応用物理学会 東海支部貢献賞，財満鎭明，2016年1月9日．
  16. Outstanding Presentation Award: International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15), S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y.Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima, “X-ray Microdiffraction Characterization of Local Strain Distribution in GeSn/Ge Nanostructures”, 2015年11月29日.
  17. 2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES  (IWDTF2015) Young Paper Award, Y. Nagae, “Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy”, 2015年11月4日．
  18. 応用物理学会 結晶工学分科会 発表奨励賞（応用物理学会結晶工学分科会主催・第4回結晶工学未来塾），志村洋介，“高次Geプリカーサーを用いた低温in-situ Pドーピングによる高活性Ge:P形成”，2015年10月29日．
  19. SSDM Paper Award 2015, Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka, “Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC ”, 2015年9月28日.
  20. ADMETA Technical Achievement Award 2014, O. Nakatsuka, Y. Deng, M. Sakashita, and S. Zaima, “Formation of Epitaxial NiGe Layer on Ge(001) Substrate and Influence of Interface Structure on Schottky Barrier Height”, .2015年9月17日．
  21. International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT2015) Best Paper Award，髙橋恒太，黒澤昌志，池上浩，坂下満男，竹内和歌奈，中塚理，財満鎭明，“Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation”，2015年6月11日．
  22. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞， 黒澤昌志，“Large grain growth of Ge-rich Ge1－x Snx (x ≈ 0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water”，2015年3月13日．
  23. 応用物理学会 支部学術講演会 発表奨励賞，浅野孝典，“Ge1-x-ySixSnyエ ピタキシャル層の結晶性の歪構造依存性”，2015年1月10日．
  24. 第36回（2014年春季）応用物理学会講演奨励賞，加藤公彦，“熱酸化におけるGe(001)基板上Ge1-xSnx層 の表面Sn析出に対する熱安定性”，2014年9月．
  25. 第2回TIAナノエレクトロニクス・サマースクール 奨励賞，浅野孝典，2014年8月29日．
  26. 第2回TIAナノエレクトロニクス・サマースクー ル 奨励賞，山羽隆，2014年8月29日．
  27. 第18回日本表面科学会 学会賞， 財満鎭明，“シリコンナノエレクトロニクスのための新材料開発と物性に関する研究”，2014年5月24日．
  28. 応用物理学会支部学術講演会発表奨励賞（応用物理学会SC東海地区学術講演会2013），柴山茂久，“Al2O3/Ge 構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善”，2014年2月14日．
  29. 応用物理学会支部学術講演会発表奨励賞（応用物理学会SC東海地区学術講演会2013），寺澤謙吾，“Ge1-x-ySnxCy混 晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶構造評価”，2014年2月14日．
  30. 第13回日本表面科学会中部支部研究会・講演奨励賞，Deng Yunsheng，“Epitaxial formation and electrical property of Ni Germanide/Ge(110) contact”，2013年12月21日．
  31. 第5回薄膜太陽電池セミナー・優秀賞，朝羽俊介，“GeSiSn/n-Ge(001) ヘテロ接合型太陽電池の作製および光電特性評価”，2013年11月15日．
  32. 第35回応用物理学会論文賞，財満鎭明，解 説論文 『ポ ストスケーリング技術の現状と期待される新展開』，2013年9月16日．
  33. 第１回TIAナノエレクトロニクス・サマースクール表彰 （ポスター賞），池進一，“歪GeチャネルMOSFETに向けた埋め込みGe1-xSnx/Ge微 細構造の局所歪評価”，2013年9月2日．
  34. 第12 回日本表面科学会中部支部研究会・講演奨励賞，黒澤昌志，“Sn誘起横方向成長によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成に関する研 究”，2012年12月22日．
  35. 研究ポスター発表会・発表奨励賞（応用物理学会結晶工学分科会主催・第１回結晶工学未来塾），黒澤昌志，“次世 代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長”，2012年11月8日．
  36. Young Scientist Award SILVER AWARD（IUMRS International Conference on Electronic Materials 2012），浅野孝典，“Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Layers on (110)-oriented Si and Ge Substrates”，2012年9月28日．
  37. 第11回日本表面 科学会中部支部研究会・講演奨励賞，柴山茂久，“Al2O3/Ge ゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果”，2011年12月24日．
  38. Award for Encouragement of Research in Thin Films （The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)），加藤公彦，“Effect of Chemical Bonding State on Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure”，2011年11月11日．
  39. Best Student Paper Awards (7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7))，中村茉里香，“Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates”，2011年9月1日．
  40. 日本表面科学会・フェロー， 財満鎭明，2011年5月23日．
  41. 第9 回日本表面科学会中部支部研究会・講演奨励賞， 加藤公彦，“ALD-Pr酸化膜/Ge構造における窒素による界面制御”，2009年12月19日．
  42. 第8 回日本表面科学会中部支部研究会・講演奨励賞， 志村洋介，“伸長歪Ge層実現のための高Sn組成Ge1-xSnxバッ ファ層成長”， 2008年12月13日．
  43. Award for Encouragement of Research in Materials Science （The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)）， 志村洋介，2008年12月13日．
  44. ISTDM 2008 Best Poster Award (The fourth International SiGe Technology and Device Meeting)， 豊田英二，酒井朗，中塚理，財満鎭明，小川正毅，磯貝宏道，仙田剛士，泉妻宏治，表和彦，2008年5月13日.
  45. 第7回日本表面科学会中部支部研究会・講演奨励賞， 櫻井晋也，近藤博基，酒井朗，小川正毅，財満鎭明， “シクロペンタン系原料を用いた液体ソースMOCVD法によるPr酸化膜の作製とその物性評価”， 第7回日本表面科学会中部支部学術講演会，2007年12月15日．
  46. 応用物理学会フェロー， 財満鎭明，2007年8月3日．
  47. 第3回 P&I パテントコンテスト： パテント・オブ・ザ・イヤー プロセス・テクノロジー部門 (pdf) ，特許「ニッケルシリコン系薄膜，ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法」， 特許第3733424号（発明者：財満鎭明，安田幸夫，酒井朗，中塚理，土屋義規），2006年11月10日．
  48. 応用物理学会講演奨励賞（第20回応用物理学会学術講演会 （2006年春季）），竹内正太郎， “仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッ ファ層の成長と構造評価”，2006年6月．
  49. Interesting Paper Award 服部章： 第11回ゲートスタック研究会（Workshop on Gate Stack Technology and Physics (2006)）， 世古明義， 講演題目：“La2O3-Al2O3複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果”，2006年2月4日．
  50. Award for Encouragement of Research of Materials Science（第16回日本MRS学術シンポジウム奨励賞），池野大輔， “Nickel-germanide MOSゲート電極における仕事関数の組成依存性”，2005年12月28日．
  51. MNC2004 Award for Outstanding Paper，S. Naito, T. Ueyama, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima, “Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals”，Jpn. J. Appl. Phys. 44 (7B), pp. 5687-5691 (2005)， 2005年10月26日.
  52. Award for Encouragement of Research of Materials Science（第15回日本MRS学術シンポジウム奨励賞），金子幸広， “NiGeゲートMOSデバイスの作製と電気的特性評価”，2003年12月24日．
  53. SSDM Young Researcher Award (International Conference on Solid State Devices and Materials)，土屋義規，2003年9月．
  54. Japanese Journal of Applied Physics 編集貢献賞， 財満鎭明，2003年3月．
  55. 第49回（平成14年度）大河内賞記念賞，酒井朗，2003年．

書籍・解説

  1. “Chapter 32 - Heteroepitaxial growth of Si, Si1－xGex-, and Ge-based alloy”, O. Nakatsuka and S. Zaima, in Handbook of Crystal Growth (Second Edition), (edited by T. Kuech, Elsevier, 2015) pp. 1301-1318.
  2. “序論（財満鎭明）”,　“第3章，第3節，Geエピタキシャル成長と薄膜構造制御（中塚理）”, ポストシリコン半導体－ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－, (株式会社エヌ・ティー・エス，2013）, pp. 160-167, 2013．
  3. “Chapter 1.4: Heterostructure Interfaces and Strain”, O, Nakatsuka and S. Zaima, in Handbook of Silicon Photonics (edited by L. Vivien and L. Pavesi, CRC Press, 2013), pp. 1-11, pp. 37-54,
  4. “Chapter 17: Slicide and germanide technology for interconnections in ultra-large-scale integrated (ULSI) applications”, S. Zaima and O. Nakatsuka, in Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics, (edited by Y. Shiraki and N. Usami, Woodhead Publishing, 2011), pp. 456-469.
  5. “Chapter 8: Silicide”, O. Nakatsuka and S. Zaima, in Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications, (edited by Y. Shacham-Diamand, T. Osaka, M. Datta, T. Ohba, Springer) pp. 121-130, 2009.
  6. “第3章3.1節 半導体薄膜”, 財満鎭明, “薄膜工学”, (金原粲監修, 白木靖寛/吉田貞史編, 丸善株式会社), pp. 119-128, 2003.
  7. “第4章4-1節 シリサイド化固相成長”, 財満鎭明, エピタキシャル成長のフロンティア, (中島一雄編, 共立出版), pp. 94-108, 2002.

特許

  1. “MOSキャパシタ及びMOSFET” 坂下満男，財満鎭明，中塚理，竹内和歌奈，柴山茂久，田岡紀之，加藤公彦，吉田鉄兵， 特開2016-146382，2015出願．
  2. “半導体薄膜の形成方法”， 黒澤昌志，中塚理，田岡紀之，財満鎭明，池上浩， 公告番号:WO2014136614 A1，2014年出願．
  3. “半導体結晶の製造方法，半導体結晶及び半導体デバイス”， 黒澤昌志，中塚理，田岡紀之，坂下満男，財満鎭明， 特開2015-156430，2014年出願．
  4. “半導体結晶，その製造方法，及び多層膜構造体”， 黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明， 特開2014-154765，2013年出願．
  5. “多層膜構造体及びその形成方法”， 中塚理，財満鎭明，望月健太，志村洋介， 特開2012-244069，2011年出願．
  6. “多層膜構造体およびその形成方法”， 中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明，近藤博基，湯川勝規，水谷卓也， 特開2009-272504，特許5553135号，2009年出願．
  7. “伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法，伸張歪ゲルマニウム薄膜，及び多層膜構造体”， 中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明，近藤博基，湯川勝規，水谷卓也， 特開2009－272504，特許5553135号，2008年出願．
  8. “金属酸化物薄膜の成膜方法”， 小森英之，福井長雄，財満鎭明，坂下満男，近藤博基，松井裕高， 特開2010-016298，2008年出願．
  9. “伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法，伸張歪ゲルマニウム薄膜，及び多層膜構造体”， 竹内正太郎，酒井朗，中塚理，小川正毅，財満鎭明， 特開2008-288395，特許5238189，2007年出願．
  10. “ジャーマナイド薄膜，ジャーマナイド薄膜の作成方法，ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体”， 中塚理，酒井朗，鈴木敦之，小川正毅，財満鎭明， 特開2009-081159，特許5243762号，2007年出願．
  11. “歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体”， 酒井朗，湯川勝規，中塚理，小川正毅，財満鎭明， 国際公開番号：WO2007/066811，特許5156950号，2006年出願．
  12. “半導体素子用基材及びその製造方法”， 近藤博基，財満鎭明，小川正毅，酒井朗，坂下満男，内藤慎哉，上山知紀，安田幸夫， 特開2006-245133，2005年出願．
  13. “カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ”， 酒井朗，中塚理，財満鎭明，種田智，小川正毅， 特開2007-015890，2005年出願．
  14. “シリサイド膜の作製方法，多層膜中間構造体及び多層膜構造体”， 中塚理，酒井朗，財満鎭明，安田幸夫，大久保和哉，土屋義規， 特開2005-243923，特許第3879003号，2004年出願．
  15. “エピタキシャル成長用基材及びその製造方法並びに多層膜構造体”， 酒井朗，田岡紀之，中塚理，財満鎭明，安田幸夫， 特開2006-032575，特許4296276号，2004年出願．
  16. “絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置”， 酒井朗，財満鎭明，安田幸夫，坂下満男，高橋亮也， 特開2006-040977，2004年出願．
  17. “ニッケルシリサイド膜の作製方法，及び多層構造体”， 財満鎭明，酒井朗，中塚理，安田幸夫， 特開2004-253606，2003年出願．
  18. “細線構造の作製方法，多層膜構造体，および多層膜中間構造体”， 酒井朗，財満鎭明，安田幸夫，中塚理， 特開2004-253607，特許第3878997号，2003年出願．
  19. “メモリ膜及びメモリ素子”， 片岡耕太郎，岩田浩，柴田晃秀，酒井朗，財満鎭明，安田幸夫， 特開2004-259986，2003年出願．
  20. “コバルトシリサイド膜の作製方法，コバルトシリサイド膜，及びコバルトシリサイド膜作製用の多層膜中間構造体”， 財満鎭明，安田幸夫，酒井朗，中塚理， 特開2004-253621，特許第3700004号，2003年出願．
  21. “高誘電率金属酸化物膜の作製方法，高誘電率金属酸化物膜，多層膜構造体，ゲート絶縁膜，及び半導体素子”， 酒井朗，安田幸夫，財満鎭明，坂下満男，近藤博基，坂下真介， 特開2005-11887，特許第3831764号，2003年出願．
  22. “シリコンナノ結晶の作製方法，シリコンナノ結晶，フローティングゲート型 メモリキャパシタ構造の作製方法，及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造”， 近藤博基，安田幸夫，財満鎭明，酒井朗，坂下満男，内藤慎哉，佐竹正城， 特開2005-129708，2003年出願．
2002年以前
  1. “プラズマ励起蒸発法による酸化物高温超伝導膜の形成方法とその装置”， 安田幸夫，財満鎭明，小出康夫， 特開平03-146418，特許第2785977号．
  2. “電子波干渉素子”， 丸山徹，遠藤哲郎，安田幸夫，財満鎭明， 特開平7-183584，特許第3329545号．
  3. “半導体混晶膜の形成法”， 安田幸夫，財満鎭明，酒井朗，山中章，中塚理， 特開2001-351862，特許第3378912号．
  4. “半導体装置製造方法”， 安田幸夫，財満鎭明，杉本賢，酒井朗， 特開2002－217413，特許第3488914号．
  5. “シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜”， 安田幸夫，財満鎭明，鳥毛裕二，酒井朗， 特開2002－289526，特許第3451325号．
  6. “メモリ膜，メモリ素子及びその製造方法と半導体記憶装置”， 岩田浩，柴田晃秀，洗暢俊，小倉孝之，足立浩一郎，柿本誠三，安田幸夫，財満鎭明，酒井朗， 特開2002-252290．
  7. “半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法”， 岩田浩，柴田晃秀，安田幸夫，財満鎭明，酒井朗， 特開2003-318289．
  8. “素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法，及び素子電極用の多層膜構造”， 安田幸夫，財満鎭明，酒井朗，中塚理，土屋義規， 特開2003-324078，特許第3876307号．
  9. “ニッケルシリコン系薄膜，ニッケルシリコン系多層構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法”， 財満鎭明，安田幸夫，酒井朗，中塚理，土屋義規， 特開2004-40013，特許第3733424号．
  10. “シリコンゲルマニウム膜の作製方法，エピタキシャル成長用基板，及び多層膜構造体”， 酒井朗，中塚理，財満鎭明，安田幸夫， 特開2004-172276，特許第3851950号．

※当研究室の前身である安田研究室（～2003年）における業績を含みます。