ナノ構造デバイス工学講座 ナノ電子デバイス工学研究グループ(研究室のページ) |
財満鎭明 教授*・中塚理 教授・黒澤昌志 特任講師*・坂下満男 助教・竹内和歌奈 助教
(* 未来材料・システム研究所所属) |
次世代ナノエレクトロニクスのための半導体物性およひデバイス物理
○ 次世代 ULSI に向けた新規薄膜材料およひプロセス技術の研究開発
○ 省電力・超高速デバイス、太陽電池応用のための半導体薄膜の結晶成長技術
○ 金属および絶縁物 / 半導体ナノ構造の作製と表面・界面物性の評価
○ 原子スケールのプロセス制御技術および観察評価技術に関する研究
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現代の超々大規模集積回路(ULSI)においては、素子を構成する半導体、絶縁体および金属材料の原子スケールでの薄膜形成技術の構築と電子の量子物性にも着目した新しい素子の動作原理の確立が必要不可欠である。本研究グループでは、シリコン半導体の表面・界面物理と半導体量子物理の基礎研究に基いて、次世代ULSIや太陽電池応用のための材料・プロセス技術の研究開発を進めている。 |
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キーワード : 半導体工学、シリコン、薄膜、表面−界面、超々大規模集積回路(ULSI) |