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おしらせ
- 当研究グループ、工学研究科・物質科学専攻への入学に興味がある方は 工学研究科入試情報をご参照下さい。
（名古屋大学プレスリリース） “スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功 ～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～” （2025年8月20日）
[NU Research Information] "Room-temperature terahertz device opens door to 6G networks" (September 16, 2025).
博士前期課程2年生の鳥本昇汰君が、 “第58回（2025年春季）応用物理学会講演奨励賞” を受賞しました。（2025年8月20日）。
博士前期課程2年生の加藤芳規君が、 “電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第30回研究会）若手奨励賞（安田幸夫賞）” を受賞しました（2025年1月24日）。
GeSn薄膜の結晶成長および電子物性に関する解説 “ゲルマニウムスズⅣ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性” （中塚理，黒澤昌志，応用物理 第88巻，第9号 (2019)）が出版されました。 （2019年9月6日）
2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学＋オンライン, 2025年9月7～10日.
Joint meeting of 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI) and International Conference on Silicon Epitaxy / International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM), Science Tokyo, Kanagawa, Japan, November 10-13, 2025.
18th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials and 19th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma/IC-PLANTS), Meijo University, Aichi, Japan, March 2-6, 2026.
構成員 研究テーマ 研究論文 研究発表
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